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    • 专利摘要:
    一種有機發光顯示裝置包含：基板；在基板上之第一電極；在第一電極上之第二電極；在第一電極與第二電極之間的中間層，此中間層係與第一電極及第二電極電性連接且包含有機發射層；以及重疊中間層的一部分之光反射構件，此部分的中間層係小於中間層的全部區域。
    公开号:TW201324765A
    申请号:TW101130367
    申请日:2012-08-22
    公开日:2013-06-16
    发明作者:Jong-Hyun Choi；Byoung-Ki Kim；Sol-Ji Kim；Dae-Woo Lee
    申请人:Samsung Display Co Ltd；
    IPC主号:H01L51-00
    专利说明:
    有機發光顯示裝置
    相關專利申請的交互參照
    於2011年12月09日向韓國智慧財產局所提交的韓國專利申請號10-2011-0132126全部在此被納入以供參考。
    實施例是有關於一種有機發光顯示裝置。
    可攜式且薄的平面顯示單元應需求而逐漸增加中。在平面顯示單元中，有機發光顯示裝置係為具廣視角、優良對比度且高反應速度的自發光顯示單元。因此，有機發光顯示裝置被視為下一代顯示單元。
    有機發光顯示裝置可包含中間層、第一電極及第二電極。中間層可包含有機發射層。當電壓施加至第一電極及第二電極，在有機發射層可產生可見光。
    一或多個實施例可提供一種有機發光顯示裝置，其包括：基板；在基板上之第一電極；在第一電極上之第二電極；在第一電極與第二電極之間的中間層，中間層是與第一電極及第二電極電性連接且包含有機發射層；以及重疊中間層之一部分的光反射構件，中間層的此部分小於中間層的全部區域。光反射構件可反射一部分的可見光且傳送另一部分的可見光。光反射構件的尺寸小於中間層的尺寸。光反射構件的尺寸小於第一電極的尺寸。
    第一絕緣層可在基板與光反射構件之間。緩衝層可在基板與第一絕緣層之間。第二絕緣層可在光反射構件與第一電極之間。第二絕緣層可重疊於第一電極未與光反射構件重疊的區域。第三絕緣層可在第二絕緣層與第一電極之間。
    光反射構件可包含銀(Ag)或鋁(Al)。第一電極可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)或氧化鋁鋅(AZO)。
    有機發光顯示裝置可進一步包含複數個子像素。第一電極、中間層及第二電極在位置上可與複數個子像素的每一個對應；以及光反射構件在位置上可與複數個子像素中的至少一個子像素對應。複數個子像素中的至少一些是使用於發射具有不同顏色的可見光，以及光反射構件在位置上可與複數個子像素中的至少一個子像素對應，其中至少一個子像素發射具有不同顏色中的一種顏色之可見光。光反射構件在位置上可與複數個子像素中發射藍色可見光之子像素對應。
    有機發光顯示裝置可進一步包含在基板上之薄膜電晶體(TFT)，薄膜電晶體(TFT)電性連接至第一電極且包括主動層、閘極電極、源極電極以及汲極電極。光反射構件與主動層可在不同層上，且光反射構件可比主動層更接近基板。第一電極可與閘極電極在同一層上且可至少包含形成閘極電極的材料之一部分。
    閘極電極可包含第一導電層與在第一導電層上的第二導電層，第一電極包含與第一導電層相同的材料且是與第一導電層在同一層上。中間層可未重疊薄膜電晶體且可與薄膜電晶體間隔。
    .有機發光顯示裝置可進一步包含具有第一電容電極與第二電容電極的電容，其中第一電容電極與主動層在同一層上，而第二電容電極與閘極電極在同一層上。
    下文中，實施例將藉由參照附圖來解釋例示性實施例而詳細地描述。
    第1圖係描繪根據一實施例之有機發光顯示裝置100的剖視圖。
    參照第1圖，有機發光顯示裝置100可包含基板101、第一電極110、光反射構件120、中間層114以及第二電極115。
    在下文中，每一元件的配置將被詳細地描述。
    基板101可包含含有SiO2作為主成份的透明玻璃，但並不限於此。基板101可包含透明塑膠材料。透明塑膠材料可選自於各種有機材料。
    緩衝層102形成在基板101上。緩衝層102防止水氣及外來物質接近基板101，且在基板101上提供一平面。緩衝層102可包含各種能夠執行上述功能的材料之一。舉例來說，緩衝層102可包含無機材料，像是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、氮化鈦、或類似物。緩衝層102可包含有機材料，像是聚醯亞胺、聚酯、丙烯系聚合物(acrylic polymer)、或類似物。緩衝層102可以是由複數個選自於上述材料的材料形成之複合層。此外，緩衝層102不是必需的元件，因此可不被包含在有機發光顯示裝置100中。
    第一絕緣層106形成在緩衝層102上。第一絕緣層106包含氧化矽或氮化矽。具有一預定尺寸的光反射構件120形成在第一絕緣層106上。光反射構件120反射一部分的可見光以及傳送另一部分的可見光。光反射構件120可形成為包含鋁(Al)或銀(Ag)的薄膜。
    光反射構件120只與一部分的中間層114重疊，而不是中間層114的全部區域。因此，光反射構件120的尺寸可比第一電極110的尺寸小。
    第二絕緣層116形成在光反射構件120上。第二絕緣層116形成在第一絕緣層106上且覆蓋光反射構件120。第二絕緣層116可由各種絕緣材料形成。舉例來說，第二絕緣層116是由包含氧化矽或氮化矽的絕緣層所形成。
    第一電極110形成在第二絕緣層116上。第一電極110由穿透式導電材料所形成。更詳細地，第一電極110可由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)或氧化鋁鋅(AZO)形成。
    中間層114形成在第一電極110上。中間層114包含一可發射可見光的有機發射層。
    中間層114可被形成為小分子有機層或高分子有機層。當中間層114是形成為小分子有機層時，中間層114可包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、有機發射層、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)、以及類似層。
    HIL可由酞菁(phthalocyanine)化合物形成，其包含銅酞菁(copper phthalocyanine)，或TCTA、m-MTDATA、m-MTDAPB或類似物，其是星射線型胺(starburst-type amine)。
    HTL可由N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-聯苯基]-4,4'-二胺(TPD)、α-N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯胺(α-NPD)或類似物形成。
    EIL可由氟化鋰(LiF)、氯化鈉(NaCl)、氟化銫(CsF)、氧化鋰(Li2O)、氧化鋇(BaO)或8-羥基-喹啉鋰(Liq)形成。
    ETL可由三(8-羥基喹啉鋁)形成(Alq3)。
    有機發射層可包含主體材料與摻雜材料。有機發射層之主體材料的例子可包含三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、9,10-二(萘-2-基)-2-蒽(AND)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、4,4'-雙(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯基(DPVBi)、4,4'-雙(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯基(p-DMDPVBi)、三級(9,9-二芳基芴)(TDAF)、2-(9,9'-螺二芴-2-基)-9,9'-螺二芴(BSDF)、2,7-二(9,9'-螺二芴-2-基)-9,9'-螺二芴(TSDF)、芴(9,9-二芳基芴)(BDAF)、4,4'-芴(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二-(叔丁基)苯基(p-TDPVBi)、1,3-雙(咔唑-9-基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tCP)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯基胺(TcTa)、4,4'-雙(咔唑-9-基)聯苯(CBP)、4,4'-雙(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-聯苯(CBDP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-二甲基-芴(DMFL-CBP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-雙(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-4CBP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-二-甲苯基-芴(4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9-di-tolyl-fluorene, DPFL-CBP)、9,9-雙(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-2CBP)或類似物。有機發射層之摻雜材料的例子可包含4,4'-雙[4-(二-對-甲苯基氨基)苯乙烯基]聯苯(DPAVBi)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)或類似物。
    中間層114的尺寸比光反射構件120的尺寸大。舉例來說，光反射構件120只與中間層114的一部分重疊，而不是中間層114的全部區域。以這種方式，在中間層114產生且朝向基板101行進之一部分的可見光可到達光反射構件120，而另一部分例如剩餘的可見光到達第一絕緣層106、第二絕緣層116區域或在未被光反射構件120重疊的區域之緩衝層102。
    第二電極115形成在中間層114上。第二電極115可由包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca的金屬所形成。
    下文中，將描述有機發光顯示裝置100的操作及效果。
    當電壓施加至第一電極110與第二電極115時，可見光自與第一電極110及第二電極115電性連接的中間層114發射。一部分的可見光朝向第一電極110行進，以及另一部分例如剩餘的可見光朝向第二電極115行進。自中間層114發射且朝向第一電極110行進的此部分可見光通過第一電極110及第二絕緣層116，然後到達光反射構件120。到達光反射構件120之可見光的一部分被反射，然後朝向第二電極115行進。接著，朝向第二電極115行進的此部分可見光再被第二電極115反射，朝向第一電極110行進，然後被光反射構件120反射。因此，在中間層114產生的可見光在第一共振區域SR，例如在第二電極115與光反射構件120之間的空間執行共振。以這種方式，在中間層114產生的可見光之發光效率被提高。因此，朝向使用者發射之可見光的數量是增加的，且光發射效率因而提高。
    根據一實作，在中間層114產生的可見光之顏色座標特徵是藉由使用光反射構件120所產生的密集共振(intensive resonance)而改善。因而促進鮮明(vivid)的可見光之發射。
    第二絕緣層116設置在第一電極110與光反射構件120之間。第二絕緣層116在第一電極110與光反射構件120之間的定位可有助於防止因為第一電極110與光反射構件120之間的接觸而可能招致之光源同調性(optical coherence)，且可幫助在第一電極110與光反射構件120之間產生光學共振效應。
    有機發光顯示裝置100可為底部發射型的有機發光顯示裝置，其中可見光是朝向基板101發射。如此，光反射構件120反射一部分的可見光且傳送另一部分例如剩餘的可見光，使得可見光最終可朝向基板101發射。
    光反射構件120位置上對應於一部分的中間層114，而不是中間層114的全部區域。如此，在中間層114產生之可見光的一部分朝向光反射構件120不存在於其中的區域行進。可見光是被絕緣層的表面部份地反射，即第一絕緣層106的表面、第二絕緣層116的表面或緩衝層102的表面，接著朝向向第二電極115行進。朝向第二電極115行進的可見光被反射，再次朝向第一電極110行進，進而被絕緣層的表面部份地反射。因此，在中間層114產生的可見光在第二共振區域WR，例如在第二電極115與第二絕緣層116之間的空間、在第二電極115與第一絕緣層106之間的空間或在第二電極115與緩衝層102之間的空間執行共振。以這種方式，在中間層114產生之可見光的發光效率是提高的。
    根據一實作，相較於藉由光反射構件120所產生的密集共振，在第二共振區域WR的共振是具有高穿透性的弱共振。因此，在中間層114產生之可見光可因使用者的視角改變而有最小幅度的變化。舉例來說，使用者可能不會察覺到有關有機發光顯示裝置100的前面及側面之亮度的變化。
    當有機發光顯示裝置100是底部發射型的有機發光顯示裝置時，光反射構件120不是形成在第二共振區WR。如此，可見光的穿透性被提高，且在有機發光顯示裝置100中的亮度劣化被防止。
    根據當前的實施例，有機發光顯示裝置100的影像品質藉由光學共振效應的功效而提高。特別是，藉由同時執行使用由金屬形成之光反射構件120的密集共振及使用第一絕緣層106及第二絕緣層116的弱共振，而實現鮮明的色彩、提高顏色特徵，以及防止由於視角改變的亮度變化。因此，有機發光顯示裝置100的影像品質可顯著改善。
    產生密集共振的第一共振區域SR的面積以及產生弱共振的第二共振區域WR的面積可依據所需可見光的特徵而變化。舉例來說，第一共振區域SR的面積可佔據可見光實現於其中之全部區域的25%至70%，尤其是50%。
    第2圖係描繪根據另一實施例之有機發光顯示裝置200的剖視圖。
    參照第2圖，有機發光顯示裝置200包含基板201、第一電極210、光反射構件220、中間層214B、214G、214R，以及第二電極215。有機發光顯示裝置200包含複數個子像素，例如藍色子像素B、綠色子像素G以及紅色子像素R。此外，第一電極210、中間層214B、214G、214R以及第二電極215位置上與每一子像素B、G、R對應。
    在下文中，每一元件的配置將被詳細地描述。為了方便描述，當前實施例只有那些不同於先前實施例的特性被討論。
    緩衝層202形成在基板201上。緩衝層202通常可形成在所有的子像素B、G及R中。第一絕緣層206形成在緩衝層202上。第一絕緣層206通常形成在所有的子像素B、G及R中。
    具有一預定尺寸的光反射構件220形成在第一絕緣層206上。尤其是，光反射構件220可例如只形成在藍色子像素B中或在所有的子像素B、G及R中。
    光反射構件220反射一部分的可見光且傳送另一部分的可見光。光反射構件220可形成為包含Al或Ag的薄膜。光反射構件220未與中間層214B的全部區域重疊，但只與一部分的中間層214B重疊。
    第二絕緣層216形成在光反射構件220上。第二絕緣層216通常形成在第一絕緣層206上之所有的子像素B、G及R中且覆蓋光反射構件220。
    第一電極210形成在第二絕緣層216上。第一電極210可對應於每一子像素B、G及R，例如設置於其內。第一電極210在每一像素中可具有分開的島形。舉例來說，像素定義層(PDL)213可在每一子像素B、G及R的第一電極210之間。
    包含絕緣材料的像素定義層(PDL)213形成在第一電極210上。像素定義層213具有一開口以曝露第一電極210的上表面。
    中間層214B、214R及214G形成在第一電極210之經曝露的上表面上。更詳細地，中間層214B位置上與藍色子像素B對應，中間層214G位置上與綠色子像素G對應，以及中間層214R位置上與紅色子像素R對應。
    中間層214B、214R及214G分別具有發射可見光的有機發射層。中間層214B具有發射藍色可見光的有機發射層，中間層214G具有發射綠色可見光的有機發射層，以及中間層214R具有發射紅色可見光的有機發射層。
    第二電極215形成在中間層214B、214R及214G上。第二電極215通常形成在所有的子像素B、G及R中。
    在有機發光顯示裝置200中，在中間層214B產生的可見光在第一共振區域SR，例如在第二電極215與光反射構件220之間的空間執行共振。以這種方式，在中間層214B產生的可見光之發光效率被提高。尤其是，在中間層214B產生的藍色可見光之顏色座標特徵是藉由使用光反射構件220所產生的密集共振而改善。因而促進鮮明的可見光之發射。
    在中間層214B、214R及214G產生的可見光在第二共振區域WR，例如在第二電極215與第二絕緣層216之間的空間、在第二電極215與第一絕緣層206之間的空間或在第二電極215與緩衝層202之間的空間執行共振。以這種方式，在中間層214B、214R及214G產生之可見光的發光效率是提高的。尤其是，在中間層214B、214R及214G產生之可見光可因使用者的視角改變而有最小幅度的變化。舉例來說，使用者可能不會察覺到有關有機發光顯示裝置200的前面及側面之亮度的變化。
    根據當前的實施例，有機發光顯示裝置200的影像品質是藉由使用光學共振效應而提高。特別是，藍色子像素之顏色特徵的劣化在一般的有機發光顯示裝置中是一問題。在這方面，有機發光顯示裝置200藉由使用光反射構件220執行密集共振而改善藍色子像素B的顏色特徵。此外，使用絕緣層的弱共振同時在藍色子像素B的第二共振區域WR中執行。因此，防止由於視角變化而亮度及影像品質的劣化是可能的。
    在子像素R及G中，藉由使用絕緣層執行弱共振來防止由於視角變化而亮度改變，即不需使用光反射構件。以這種方式，達到具有提高的影像品質之有機發光顯示裝置200是可能的。然而，在另一實施例中，根據設計條件，光反射構件220不僅可設置在藍色子像素B中，也可設置在綠色子像素G或紅色子像素R中。
    第3圖係描繪根據另一實施例之有機發光顯示裝置300的剖視圖。
    參照第3圖，有機發光顯示裝置300包含基板301、第一電極310、光反射構件320、中間層314，以及第二電極315。為了方便描述，當前實施例只有那些不同於先前實施例的特性被討論。
    緩衝層302形成在基板301上。具有一預定尺寸的光反射構件320形成在緩衝層302上。光反射構件320只重疊一部分的中間層314，而不是中間層314的全部區域。
    第二絕緣層306形成在光反射構件320上。第二絕緣層306形成在緩衝層302上且覆蓋光反射構件320。
    第三絕緣層316形成在第二絕緣層306上。第三絕緣層316可由各種絕緣材料形成。舉例來說，第三絕緣層316是由包含氧化矽或氮化矽的絕緣材料形成。
    第一電極310形成在第三絕緣層316上。中間層314形成在第一電極310上。中間層314包含有機發射層以發射可見光。
    中間層314的尺寸比光反射構件320的尺寸大。也就是，光反射構件320只與部分的中間層314重疊，而不是中間層314的全部區域。以這種方式，一部分在中間層314產生的可見光朝向基板301行進且到達光反射構件320，而另一部分的可見光到達第二絕緣層306、第三絕緣層316或在未被光反射構件320重疊的區域之緩衝層302。光反射構件320的尺寸可比第一電極310的尺寸小。第二電極315是形成在中間層314上。
    根據當前實施例，藉由改善利用在例如是在第二電極315與光反射構件320之間的空間之第一共振區域SR發生的密集共振而在中間層314產生的可見光之顏色座標特徵，有機發光顯示裝置300可發射鮮明的可見光。
    在中間層314產生的可見光在第二共振區域WR，例如在第二電極315與第三絕緣層316之間的空間、在第二電極315與第二絕緣層306之間的空間或在第二電極315與緩衝層302之間的空間執行共振。以這種方式，在中間層314產生的可見光由於使用者的視角改變而有最小幅度的變化。舉例來說，使用者可能不會察覺到有關有機發光顯示裝置300的正面及側面之亮度的變化。
    在當前的實施例中，第二絕緣層306與第三絕緣層316設置在第一電極310與光反射構件320之間。相對於第一電極310與光反射構件320之第二絕緣層306與第三絕緣層316的位置可有助於防止因為在第一電極310與光反射構件320之間的接觸而可能招致的光源同調性，以及在第一電極310與光反射構件320之間的空間，例如在第二絕緣層306與第三絕緣層316之間的界面產生光學共振。因此，有機發光顯示裝置300提高了影像品質。
    雖然沒有繪示，如同第2圖的有機發光顯示裝置200，有機發光顯示裝置300也可包含複數個子像素。如此，光反射構件320可僅形成在藍色子像素中。
    第4圖係描繪根據另一實施例之有機發光顯示裝置400的剖視圖。
    參照第4圖，有機發光顯示裝置400包含基板401、薄膜電晶體(TFT)、第一電極410、光反射構件420、中間層414以及第二電極415。TFT包含主動層403、閘極電極405、源極電極407以及汲極電極408。
    此外，有機發光顯示裝置400可包含至少一個電容418。電容418包含第一電容電極411與第二電容電極413。
    緩衝層402形成在基板401上。具有一預定尺寸的光反射構件420形成在緩衝層402上。更詳細地，光反射構件420只重疊一部分的中間層414，而不是中間層414的全部區域。
    第二絕緣層406形成在光反射構件420上。第二絕緣層406形成在緩衝層402上且覆蓋光反射構件420。
    主動層403形成在第二絕緣層406上。第一電容電極411形成在第二絕緣層406上。第一電容電極411可由與主動層403相同的材料形成。
    第三絕緣層416形成在第二絕緣層406上，且覆蓋主動層403與第一電容電極411。
    閘極電極405、第一電極410以及第二電容電極413形成在第二絕緣層406上。
    閘極電極405包含第一導電層405a與第二導電層405b。第一導電層405a可包含穿透式導電材料。舉例來說，第一導電層405a可包含選自於ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO以及AZO中的至少一個材料。第二導電層405b可形成在第一導電層405a上，且可包含金屬或像是Mo、MoW及鋁系合金的金屬合金或類似物，但不限於此。
    第一電極410可包含穿透式導電材料且可由與第一導電層405a相同的材料形成。導電單元410a設置在第一電極410之上表面上的一預定區域上，且由與第二導電層405b相同的材料形成。
    第二電容電極413包含第一層413a與第二層413b。如此，第一層413a是由與第一導電層405a相同的材料形成，以及第二層413b是由與第二導電層405b相同的材料形成。第二層413b形成在第一層413a上。第二層413的面積比第一層413a的面積小。第二電容電極413與第一電容電極411重疊。第二電容電極413的尺寸比第一電容電極411的尺寸小。
    層間絕緣層417形成在第一電極410、閘極電極405以及第二電容電極413上。層間絕緣層417可包含各種含有有機與無機材料之絕緣材料中的至少之一。雖然沒有繪示，層間絕緣層417可具有雙層結構。舉例來說，層間絕緣層417可具有複合結構，其中堆疊二層或多層無機/有機層。以這種方式，層間絕緣層417可提供更高的絕緣與保護。形成層間絕緣層417的無機材料可包含氧化矽或氮化矽。
    源極電極407與汲極電極408形成在層間絕緣層417上。源極電極407與汲極電極408連接至主動層403。
    源極電極407或汲極電極408電性連接至第一電極410。參照第4圖，汲極電極408電性連接至第一電極410。汲極電極408接觸導電單元410a。
    像素定義層419形成在層間絕緣層417上且覆蓋TFT與電容418。像素定義層419具有一預定的開口419a，其位置上對應於第一電極410之上表面。中間層414形成在第一電極410之上表面上，其經由像素定義層419的開口419a而曝露。第二電極415形成在中間層414上。
    雖然沒有繪示，封裝構件(未顯示)可設置在第二電極415上。封裝構件可防止由於外部的異物或外部衝擊而對第一電極410、中間層414或第二電極415造成的損害。封裝構件可由玻璃、金屬薄膜層或類似物形成，或可具有有機材料與無機材料堆疊於其中之複合結構。
    根據當前實施例，藉由改善利用在例如是在第二電極415與光反射構件420之間的空間之第一共振區域SR發生的密集共振而在中間層414產生的可見光之顏色座標特徵，有機發光顯示裝置400可發射鮮明的可見光。
    在中間層414產生的可見光在第二共振區域WR，例如在第二電極415與第三絕緣層416之間的空間、在第二電極415與第二絕緣層406之間的空間或在第二電極415與緩衝層402之間的空間執行共振。以這種方式，在中間層414產生之可見光由於使用者的視角改變而有最小幅度的變化。舉例來說，使用者可能不會察覺到有關有機發光顯示裝置400的前面及側面之亮度的變化。
    在當前的實施例中，第二絕緣層406與第三絕緣層416設置在第一電極410與光反射構件420之間。相對於第一電極410與光反射構件420之第二絕緣層406與第三絕緣層416的位置可防止在第一電極410與光反射構件420之間的光源同調性，以及在第一電極410與光反射構件420之間的空間，例如在第二絕緣層406與第三絕緣層416之間的界面產生光學共振。因此，有機發光顯示裝置400提高了影像品質。
    雖然沒有繪示，如同第2圖的有機發光顯示裝置200，有機發光顯示裝置400也可包含複數個子像素。如此，光反射構件420可僅形成在藍色子像素中。
    此外，在當前的實施例中，第二絕緣層406形成在光反射構件420上，且主動層403與第一電容電極411形成在第二絕緣層406上。以這種方式，光反射構件420可經由不損害主動層403與第一電容電極411之簡單製程而形成。
    閘極電極405與第二電容電極413是由相同的材料在同一層形成。如此，有機發光顯示裝置400的厚度可輕易地減少。
    有機發光顯示裝置400可為底部發射型的有機發光顯示裝置，其中在中間層414產生的可見光朝向基板401發射。如此，藉由允許TFT遠離中間層414，例如與中間層414隔開而不與中間層414重疊，在中間層414產生的可見光可輕易地經由基板401而到達使用者。
    然而，有機發光顯示裝置400並不限於是底部發射型。因此，有機發光顯示裝置400可為頂部發射型的有機發光顯示裝置，其中在中間層414產生的可見光通過第二電極415而被認定為使用者影像。
    經由總結與評論的方式，並不容易最適化地控制在有機發光顯示器的有機發射層產生之可見光的特徵。此外，在有機發射層產生之可見光可能在其到達使用者之前就消失或改變。因此，在提高有機發光顯示裝置的影像品質是有所限制的。
    根據一或多個實施例，有機發光顯示裝置可輕易地提高影像品質。
    雖然上述實施例已參照其例示性實施例而特別地呈現及描述，該領域之熟知技術者將理解的是，可在未脫離下述申請專利範圍所界定之本發明的精神與範疇下在其中做各種形式上或細節上的改變。
    100、200、300、400．．．有機發光顯示裝置
    101、201、301、401．．．基板
    102、202、302、402．．．緩衝層
    106、206．．．第一絕緣層
    110、210、310、410．．．第一電極
    114、214B、214G、214R、314、414．．．中間層
    115、215、315、415．．．第二電極
    116、216、306、406．．．第二絕緣層
    120、220、320、420．．．光反射構件
    213、419．．．像素定義層
    316、416．．．第三絕緣層
    403．．．主動層
    405．．．閘極電極
    405a．．．第一導電層
    405b．．．第二導電層
    407．．．源極電極
    408．．．汲極電極
    410a．．．導電單元
    411．．．第一電容電極
    413．．．第二電容電極
    413a．．．第一層
    413b．．．第二層
    417．．．層間絕緣層
    418．．．電容
    419a．．．開口
    B．．．藍色子像素
    G．．．綠色子像素
    R．．．紅色子像素
    SR．．．第一共振區域
    TFT．．．薄膜電晶體
    以及
    WR．．．第二共振區域
    本發明之上述及其他特性與優點將藉由參照附圖詳細地描述其例示性實施例而變得更加明顯，其中：第1圖係描繪根據一實施例之有機發光顯示裝置的剖視圖；第2圖係描繪根據另一實施例之有機發光顯示裝置的剖視圖；第3圖係描繪根據另一實施例之有機發光顯示裝置的剖視圖；以及第4圖係描繪根據另一實施例之有機發光顯示裝置的剖視圖。
    100．．．有機發光顯示裝置
    101．．．基板
    102．．．緩衝層
    106．．．第一絕緣層
    110．．．第一電極
    114．．．中間層
    115．．．第二電極
    116．．．第二絕緣層
    120．．．光反射構件
    SR．．．第一共振區域
    以及
    WR．．．第二共振區域
    权利要求:
    Claims (20)
    [1] 一種有機發光顯示裝置，其包括：一基板；在該基板上之一第一電極；在該第一電極上之一第二電極；在該第一電極與該第二電極之間的一中間層，該中間層係與該第一電極及該第二電極電性連接且包含一有機發射層；以及重疊該中間層的一部分之一光反射構件，該中間層的該部分係小於該中間層的全部區域。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該光反射構件反射一部分的可見光且傳送另一部分的可見光。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該光反射構件的尺寸係小於該中間層的尺寸。
    [4] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該光反射構件的尺寸係小於該第一電極的尺寸。
    [5] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其進一步包括在該基板與該光反射構件之間的一第一絕緣層。
    [6] 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示裝置，其進一步包括在該基板與該第一絕緣層之間的一緩衝層。
    [7] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其進一步包括在該光反射構件與該第一電極之間的一第二絕緣層。
    [8] 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二絕緣層重疊於該第一電極未與該光反射構件重疊的一區域。
    [9] 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其進一步包括在該第二絕緣層與該第一電極之間的一第三絕緣層。
    [10] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該光反射構件包含銀(Ag)或鋁(Al)。
    [11] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)或氧化鋁鋅(AZO)。
    [12] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其進一步包含複數個子像素；其中該第一電極、該中間層及該第二電極位置上與該複數個子像素的每一個對應；以及該光反射構件位置上與該複數個子像素中的至少一個子像素對應。
    [13] 如申請專利範圍第12項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個子像素中的至少一些係使用於發射具有不同顏色的可見光，以及該光反射構件位置上與該複數個子像素中的至少一個子像素對應，其中該至少一個子像素發射具有該些不同顏色中的一個之可見光。
    [14] 如申請專利範圍第13項所述之有機發光顯示裝置，其中該光反射構件位置上與該複數個子像素中發射一藍色可見光的一子像素對應。
    [15] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其進一步包含在該基板上之一薄膜電晶體(TFT)，該薄膜電晶體(TFT)電性連接至該第一電極且包括一主動層、一閘極電極、一源極電極及一汲極電極。
    [16] 如申請專利範圍第15項所述之有機發光顯示裝置，其中該光反射構件及該主動層係在不同層上，以及該光反射構件比該主動層更接近該基板。
    [17] 如申請專利範圍第15項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極係與該閘極電極在同一層上且至少包含形成該閘極電極的材料之一部分。
    [18] 如申請專利範圍第15項所述之有機發光顯示裝置，其中該閘極電極包含一第一導電層及在該第一導電層上之一第二導電層，該第一電極包含與該第一導電層相同的材料且係與該第一導電層在同一層上。
    [19] 如申請專利範圍第15項所述之有機發光顯示裝置，其中該中間層未重疊該薄膜電晶體且與該薄膜電晶體間隔。
    [20] 如申請專利範圍第15項所述之有機發光顯示裝置，其進一步包括具有一第一電容電極及一第二電容電極之一電容，其中該第一電容電極係與該主動層在同一層上，以及該第二電容電極係與該閘極電極在同一層上。
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